北京国浩微磁电子智能传感器技术研究所

具有MEMS传感器的设计、加工和测试经验；熟悉MEMS传感器的设计手段，如理论设计、有限元分析等；理解MEMS加工工艺，有实际的MEMS器件加工经验者更佳；硕士学位以上，能够熟练阅读英文技术文献。

研究所主要从事新型传感器的研究与开发，所设部门有：总体设计应用与基础研究部、新型功能材料与电子信息材料研究部、大规模集成电路开发部、软件开发与信息采集及安全传输开发部、工艺设计流程与中试基地等部门组成。招聘对象：相关专业的大学本科生、研究生、博士生、研究员、教授以及主要从事压力及磁敏传感器领域的工程技术人员，应聘人员户籍所在地不限，有实际工作经验者优先录用。有意者请将简历寄至：北京市海淀区学院路35号世宁大厦802室 邮编100083或将简历发至研究所邮箱：ghyjs@ 谢绝来访，待电话通知面试。