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三安光电股份有限公司是目前国内成立最早、规模最大、品质最好的全色系超高亮度LED外延及芯片产业化生产基地。是国家发改委批准的“国家高技术产业化示范工程”、国家科技部及信息产业部认定的“半导体照明工程龙头企业”、航天航空部确认的“战略合作伙伴”。到目前为止,公司已申请及获得48项发明专利及专有技术。2006年被国家人事部批准设立博士后科研工作站。2008被认定为国家级企业技术中心。
三安光电拥有世界最先进的仪器设备和高标准的生产环境,聚集了一批国内、外一流的LED生产技术专家。拥有由美国、日本、中国台湾和国内光电技术顶尖人才组成的高素质研发团队,研发能力居国内前列。
天津三安光电有限公司公司成立于2008年12月,位于天津市华苑产业园区,占地面积600余亩,一期投资额10亿元。目前厂房建设正在紧张有序的进行,预计2010年4月投入生产。
安徽三安光电有限公司,位于芜湖经济技术开发区凤鸣湖北路,项目占地2000亩,总投资120亿元人民币,于2010年2月26日正式开工建设,目前正在紧张有序的筹建之中。
一、公司主要产品及规模
公司产品主要有全色系超高亮度LED外延片、芯片、PIN光电探测器芯片、化合物太阳电池等。超高亮度LED是新一代的节能照明产品,其具有高效节能、寿命长、绿色环保(高效节能:耗电量是白炽灯的1/10,荧光灯的1/2;长寿命:10万小时;绿色环保:无辐射,不含铅、汞等有害元素)三大优势。目前广泛应用于景观照明、背光源、汽车灯、交通信号灯、广告看板、室内外全彩显示屏等领域。
公司拥有1000级到10000级的现代化洁净厂房,数百台(套)国内外最先进的LED外延生长和芯片制造设备,其中数十台MOCVD设备为目前国际最为先进的外延生长设备。已实现年产四元系外延片27.6万片、氮化镓外延片18万片、芯片150亿粒的生产规模。
二、产品市场前景
半导体照明技术是21世纪最具发展前景的新兴高技术领域之一。具有节能、长寿命、免维护、环保等优点,它采用发光二极管(LED)作为光源,同样亮度下,耗电仅为普通白炽灯的1/10,而寿命却可以延长100倍,达到10万小时。如同晶体管替代电子管一样,半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯,是大势所趋。
专家估计:2010年LED器件市场将超过100亿美元,2020年LED器件市场有望达到1000亿美元。
三、公司技术水平
公司采用目前国际上最为先进的生产技术。经过近几年来不断的创新与研发,红光LED亮度达到100mcd,标准蓝光LED芯片亮度达到100mcd;GaN绿光LED芯片亮度达到400mcd,功率型蓝光LED芯片光功率达到200mw,绿光LED芯片光功率达到80mw。
公司的知识产权清晰,已申请专利31项,获得专利授权8项,进入专利实审15项,8项正在受理。并具有3项区别国外专利技术的专有技术。
四、成绩及荣誉
三安光电2003年1月通过全色系超高亮度LED芯片科技成果鉴定,被评定为国内首家实现该项目产业化的生产厂家; 2003年4月公司的“氮化镓基发光二极管外延片和器件制备项目”被国家发展改革委列入2003年光电子、新型元器件专项高技术产业化示范工程;2003年6月“高亮度蓝光LED产品及应用”项目被列入信息产业部2003年度电子信息产业发展基金项目;2004年3月“功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术”项目被列入“十五”国家科技攻关计划重大项目中“半导体照明产业化技术开发”攻关项目。2004年11月“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目被国家信息产业部列入2005年信息产业基金重点支持项目。2006年11月我司承担的“功率型半导体全色系芯片产业化”项目被国家发改委列入“国家2006年信息产业企业技术进步和产业升级专项项目”; 2006年12月我司承担的“100lm/W功率型白光LED制造技术”项目被国家科技部确定为国家高新技术研究发展计划(863计划)课题;
企业取得的成绩主要为:2004年8月公司技术中心被确认为省级企业技术中心;2003年6月公司被国家科技部列入国家半导体照明工程龙头企业;2004年被推选为厦门光电子行业协会会长单位。2004年被推选为中国光电子器件协会副理事长单位;2004年被推选为国家半导体照明工程研发及产业联盟常务理事单位等;2006年5月被国家人事部正式批准设立博士后科研工作站,开展博士后科研工作;
五、公司未来发展方向及重点
经过几年来不断的改进与完善,公司已建立了成熟的市场营销体系,营销网络布局合理,销售环节流畅,客户技术支持有保障,售后服务周到、快捷。产品已占领了国内市场,并出口至多个国家和地区,受到国内、外客户的好评。
三安光电将以领先的技术水平、雄厚的技术力量和先进的设备为基础,以更高的站位、更快的速度,向着更高的目标奋进,力促中国光电业的发展,力求成为世界有影响力的光电产业化基地,成为举世瞩目的中国“光谷”。
人才需求信息
一、需求具备条件
1,硕士、博士学历,掌握较深的半导体物理和器件知识,材料、物理、微电子等相关专业优先;
2、具有独立工作能力,能承受一定的工作压力;
3、具有一定的创新能力和意识;
4、具备良好的团队合作精神和协调沟通能力。
二、工作内容及方向
1、研究III-V族化合物半导体发光二极管LED的材料外延生长、芯片制作工艺等关键技术,优化LED器件结构、提高材料质量、突破关键工艺,探索提高LED发光效率的新途径和新方法;
2、研究III-V族化合物半导体太阳能电池的材料制备、器件工艺等关键技术,优化太阳能电池的器件结构、提高材料质量、突破关键工艺,探索提高能量转化效率的新途径和新方法;
3、专利撰写;
4、生产工程、客户服务等技术支持。
三、所属工作部门
1、技术中心
2、生产一部(外延生产部)
3、生产二部(芯片生产部)
四、所属岗位:研发工程师、生产工程师
五、需求人数:10人
六、公司地址及联系方式:
地址:天津市华苑产业园区海泰南道20号
电话:022-23825831 于小姐
邮箱:tianjinhr@