- 工作地点：成都
- 职位：器件研发|应用开发
- 信息来源：电子科技大学
说明：
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成都森未科技有限公司
| 信息分类： | 招聘信息 | 点击量： | 10 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 单位性质： | 国有企业 | 单位类别： | 其他 | ||
| 招聘学历： | 博士 硕士 本科生 | 招聘人数： | 1-10人 | ||
| 发布时间： | 2018-03-13 11:30 | 结束时间： | 2018-07-01 19:00 | ||
| 举办地点： | 工作地点： | 成都高新区 | |||
招聘单位：成都IGBT产业化联合技术中心
单位简介：成都IGBT产业化联合技术中心（以下简称“联合技术中心”）是专门从事IGBT等功率半导体芯片开发的国企直属研发机构，由中国振华集团永光电子有限公司和成都森未科技有限公司联合设立，引进先进的芯片设计、测试分析和电路应用等设备仪器，旨在为IGBT芯片产业化实施提供技术支撑，打造国内一流的IGBT芯片研发平台，并进行产业化前期的应用和市场等筹备工作。联合技术中心以开放的姿态和奋发的热情，汇聚了一批年轻、专业的高素质人员，期待您的加入，与我们一起携手成长，实现理想！
招聘计划：全职/实习 工作/实习地址：成都市高新区
一、招聘岗位：器件研发
<1>招聘人数：
工作职责：功率半导体器件的设计和开发 分别负责以下工作内容： 1. 器件的仿真模拟及版图绘制。（2人） 2. 晶圆流片及工艺开发。（2人） 3. 芯片和器件层面的测试分析。（2人）
基本要求： 1. 学历：全日制本科及以上学历； 2. 专业：物理、半导体、微电子、电子信息工程、电子科学与技术等相关专业； 3. 要求： (1) 热爱钻研技术，对电子器件、芯片开发充满兴趣； (2) 具有扎实的物理基础和半导体器件基础； (3) 做事条理清楚，细心负责； (4) 具有较强的表达能力和独立思考的能力； (5) 具有功率半导体芯片的设计开发经验或项目经历者优先。
二、招聘岗位：应用开发
招聘人数：全职2人
工作职责： 1. 了解IGBT在不同系统中的实际电路和应用环境，将各项应用条件指标化； 2. 负责IGBT产品在客户应用端的上机调试和使用； 3. 解决器件产品在应用过程中出现的各类问题； 4. 根据产品的性能和应用环境，向客户提供系统使用和优化方案； 5. 根据客户应用反馈，联合芯片开发人员进行设计和优化。
基本要求： 1. 学历：全日制本科及以上学历； 2. 专业：电力电子技术、电气工程、电子信息工程、电子电工等相关专业； 3. 要求： (1) 具备较强的电路原理和电子元器件基础； (2) 具备相关的电子电路设计和开发经验； (3) 具备较强的电力电子技术基础； (4) 具有较强的实验动手能力； (5) 具有较强的分析问题和独立解决问题的能力。
福利待遇： 1、正常缴纳六险一金，与国企直接签订合同； 2、弹性工作时间，行业顶尖团队； 3、团建活动丰富，项目奖励优厚； 4、过节费及年底双薪，公司福利优厚； 5、年假逐年增加，公司发展前景好；
简历投递邮箱：service@（简历文件名：学校 专业 学历 姓名）； 电话咨询：15378225308/028-85283390； 公司官网：ww***.cn[点击查看]（森未科技）；ww***.cn[点击查看]（振华永光） | |||||
