| 公司名称: | NANO科技(北京)有限公司 | 公司性质: | 外资企业 |
| 公司规模: | 50~100人 | 公司行业: | 科学研究和技术服务业 |
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| 职位性质: | 实习 | 职位类别: | 工程技术人员 |
| 学历要求: | 博士,博士后,硕士 | 招聘人数: | 2 |
| 工作地点: | 北京市海淀区 |
| 职位标签: | |
职位描述
职位描述:
1.负责硅基高速光芯片的设计;
2.负责硅基高速光芯片工艺流程开发;
3.负责硅基高速光芯片生产;
职位要求:
1.具备扎实的半导体物理理论,半导体工艺制成经验;
2.熟悉硅基CMOS工艺;
3. 通信、半导体或电子类相关专业,能熟练阅读英文文档;
4. 具有敬业精神、团队合作精神以及良好的沟通能力,做事踏实、认真、勤恳。
本公司具有强大的芯片研发及流片能力,竭诚欢迎有才之士来我司实习!
简历请投递jobcn@
单位简介
SiFotonics Technologies Co., Ltd. 成立于2006年底,目前投资额近5000万美元,公司在波士顿、北京、上海分别设立了研发中心,现有员工约100余人。SiFotonics核心技术团队汇集了来自MIT、清华大学、复旦大学的多名业界精英,投身于硅基光电产品前沿技术的开发与应用。NANO科技(北京)有限公司是SiFotonics全资子公司。
SiFotonics多年专注于CMOS工艺的硅基光电产品及相关集成电路芯片的设计与开发,通过技术创新为客户提供高性价比的光电器件。公司产品主要涉及CMOS工艺Ge-Si材料2.5G/10G/25G 高速光探测器及雪崩探测器(及阵列),CMOS工艺10G/25G Modulator,CMOS工艺2.5G/10G TIA及10G MMF SFP SoC芯片,10G高速HDMI SerDes等集成电路芯片,可广泛应用于传统光通信市场、数据中心、FTTx、HDMI远传等带宽需求量快速增长的市场。
2011年底,SiFotonics投资3百万美元,与Fab厂商合作开发了全球首条CMOS工艺、Ge-Si材料光器件量产线,为后续大规模市场推广及量产化奠定了坚实的基础。目前,SiFotonics APD及相关产品已通过多家通信设备厂商的测试认证。
2014年,SiFotonics 的Ge/Si 产品线通过5000小时可靠性验证,开始批量出货。
2015年,SiFotonics 开始演示先进的100G硅基光电集成芯片,面向数通及相干通信等应用。
根据业务发展需要,北京子公司诚邀勇于创新、善于沟通、具有团队精神、渴望有所建树的业界精英加盟,共同发展。
公司实行薪金、奖励和股票期权等多层次结合的薪酬体系;注重员工职业技能的培训和提升,已成功为30%员工办理美国签证、赴台工作等海外培训机会;并组织和鼓励员工参与国际学术会议、工业展会及专业培训等学习和交流活动。我们为您提供宽松舒适的工作环境、施展才华和成就事业的舞台。真诚期望您的加盟,一起创造硅基光通讯产业美好未来,实现企业和员工的共同发展。
简历投递邮箱:jobcn@,建议简历采用附件投递,简历名称格式为:姓名-申请职位-所学专业及学历-毕业学校-毕业时间
联系方式
| 联系电话: | 62672130 |
公司传真: | |
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招聘邮箱: | jobcn@ |
| 公司地址: | 北京市海淀区永丰路9号用友产业园东区20号楼4层 |