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一、企业简介:
镓特半导体科技(铜陵)有限公司成立于2017年,注册资本4.2亿元人民币,是北大青鸟集团投资成立的高科技企业。公司依托北大青鸟集团的研发与人才优势,主要从事4英寸及以上的高质量、低成本GaN衬底的研发、生长、制造及销售。公司自支撑氮化镓研发及产业化项目是铜陵市重点招商引资项目,占地50亩,达产后年产自支撑氮化镓36000片。
二、企业愿景与技术优势:
GaN作为第三代半导体,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、耐高压、耐辐射等特性,相较于传统半导体材料硅或砷化镓而言,可广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、5G通信等。
在射频微波领域,GaN频率目前可达到25G,功率达到1800w,在航空航天,微波雷达,卫星通信,当下5G通信有巨大的优势。
在激光器方面,GaN基激光器可以覆盖到很宽的频谱范围,实现蓝、绿、紫外激光器和紫外探测的制造,其数据存储盘空间比蓝光光盘高出20倍
在探测器方面,GaN基紫外探测器可用于导弹预警、卫星秘密通信。
在高功率电器方面,如GaN的充电器,体积小,功率高,发热少(如已商业应用的小米、ANKER 、APE、紫米等氮化镓充电器)
由于目前GaN成本较高,制约了其商业应用。本公司的项目采用氮化镓高质量晶体生长技术和高良率自剥离生长技术进行大尺寸高质量自支撑氮化镓的生产。此技术已达全国领先水平,有望通过量产降低GaN的制造成本,为GaN的推广奠定基础。
不仅如此,随着2017年,北京、江苏、山东和广东等地陆续出台促进化合物半导体发展的62项相关政策。国内已经形成了氮化镓等第三代半导体产业发展的聚集区,这些都展现了氮化镓巨大的发展前景。
三、招聘需求:
职位描述:负责4英寸GaN 生长质量的优化,通过调控实现具有不同载流子类型的GaN,完成基于GaN的射频功率、micro LED、HEMT等器件的制备,同时开展6英寸、高纯GaN的工艺研发。
任职要求:掌握一定的半导体材料理论基础,有薄膜生长经验如 (MOCVD、磁控溅射、PLD、HVPE等任一即可);从事过氮化镓(GaN)、 氮化铟(InN)、氮化铝(AIN)、碳化硅(SiC)以及氮化硅(SiN)等宽禁带半导体晶体生长动力学或器件研究的优先考虑,熟悉XRD、AFM或者霍尔测试的更佳;能够使用英语进行阅读、书面和口头表达;责任感强、团队合作意识强。
专业要求:物理、化学、材料、半导体、光学、电子等相关专业
学历要求:硕士及博士
人数需求:10-20名
四、薪资福利:
1、薪资:提供行业内具有竞争力的薪资;
2、福利:为员工提供五险一金、带薪年假、住房补贴/免费员工公寓、餐补、通讯补贴、交通补贴、节日礼金等福利
五、简历及投递及联系方式
简历投递网申地址:jun.yang@ 或 微信:doublehelix123
联系电话:15605698315