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中国电科重庆声光电（24所、26所及44所）招聘公告
- 中国电科重庆声光电公司
-
浏览：6次 |
- 公司性质：国有企业
- 联系人：邓乾城
- 公司行业：科学研究和技术服务业
- 联系电话：023-65860116
- 公司规模：1001人以上
- 电子邮箱：d13235451680@
- 工作城市：重庆市
- 发布日期：2017-02-20 15:35
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中国电科重庆声光电（24所、26所及44所）招聘公告
重庆声光电有限公司是中国电科模拟集成电路、微声/惯性器件、光电器件专业型子集团公司，汇聚了3个国家Ⅰ类研究所/中央直属事业单位（中国电科第24、26、44研究所）以及12个民品产业公司的科研和生产力量，致力于打造以模拟微系统技术产品为主业方向，开拓军工、通信/导航、汽车电子及智能电子四大应用市场，到2020年努力实现营业收入突破百亿的高科技子集团公司。
目前，重庆声光电公司设有西区、南区两个研发基地，占地900余亩，总资产规模50余亿元，已连续9年保持了经济快速增长。拥有国家级重点实验室、博士后科研工作站、国家工程技术研发中心、海外高层次人才创业基地等平台，现有在职职工4600余人，专业技术人才占比50%以上，硕士及以上学历人才占比20%以上，拥有国家和省部级专家百余人。
公司涵盖微系统技术、微电子技术、微声/惯性技术及光电子技术四个专业方向，主要产品覆盖：A/D、D/A转换器、电源电路、高性能放大器、微波器件、声光滤光器、CCD/CMOS图像传感器、声光频谱分析仪、红外焦平面器件、高速半导体激光器等。产品广泛应用于：航空、航天、通讯、雷达、电子对抗、能源、汽车电子、电力工业、计算机、广播电视、精密机械、地址勘探、生物工程等军民领域。公司凭借专业技术优势，共取得科研成果3000余项，其中“十五”、“十一五”期间获得国家科技进步奖、国防科技奖、集团科技奖及重庆市科技奖百余项，申请和授权专利百余项。
面向未来，重庆声光电有限公司将坚持军民融合式发展道路，积极参与国民经济信息化建设和国家重点工程建设，努力将重庆产业园建设成融入国民经济建设的国际知名、国内一流的国家级声光电研发中心和产业基地，逐步实现“一一三四”战略。
一个目标：百亿高科技子集团，到2020年实现收入100亿元；
一个核心主业：以模拟微系统技术产品为主业方向；
实施三大策略：一体化策略、资源优化整合策略、融合创新策略
四个应用方向：发展军工及通信/导航、汽车电子、智能电子四大应用市场。
二、招聘岗位及专业
需求部门 | 岗位名称 | 专业 | 学历 | 招聘数量 | |
财务部 | 财务管理 | 会计学、财务管理等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 2 | |
发展规划与 资产经营部 | 投资管理 | 财务管理、金融或法律等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 1 | |
系统工程部 | 通信微系统开发主研 （射频微系统方向） | 射频、微波及通信等相关专业 | 硕士研究生及以上学历， | 2 | |
系统软件设计主研 （光电集成系统应用软件方向） | 计算机/软件等相关专业 | 硕士研究生及以上学历， | 2 | ||
模拟集成电路 设计事业部 | 混合信号ASIC/SoC | 微电子等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 3 | |
微波射频集成电路 | 射频、微波及通信等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 2 | ||
模拟/混合集成电路 | 电路系统 | 电路与系统、 集成电路等相关专业 | 博士研究生及以上学历 | 1 | |
微波事业部 | 大功率微波电路设计 | 电磁场与微波、 电子工程等专业 | 硕士研究生及以上学历，博士优先考虑 | 2 | |
射频微系统电路设计 | 电磁场与微波、 射频等专业 | 硕士研究生及以上学历，博士优先考虑 | 2 | ||
无线电设计/ | 电路与系统、 信号与信息处理等专业 | 硕士研究生及以上学历，博士优先考虑 | 2 | ||
固体图像传 感器事业部 | 微型光谱仪设计师 | 电子工程、电路与系统相关专业 | 博士研究生及以上学历 | 1 | |
CMOS电路系统架构设计 | 微电子及相关专业 | 博士研究生及以上学历 | 1 | ||
CMOS模拟IC/IP | 微电子及相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 2 | ||
化合物半导体 | 光子集成芯片设计 | 光电子、半导体器件等相关专业 | 博士研究生及以上学历 | 1 | |
化合物半导体 | 半导体材料、微电子等相关专业 | 博士研究生及以上学历 | 1 | ||
半导体光源设计 | 光学工程或光电子等相关专业 | 博士研究生及以上学历 | 1 | ||
光传输与处 理事业部 | 光子集成设计 | 光电子、光纤通信技术等相关专业 | 博士研究生及以上学历 | 2 | |
微波光子设计 | 电磁场与微波、光电子技术等相关专业 | 博士研究生及以上学历 | 1 | ||
光传输与处理 | 通信、微波工程、电路与系统及机械电子等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 6 | ||
集成光学 事业部 | 微波封装工艺师 | 电磁场与微波、射频等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 1 | |
工程部 | 软件设计 | 计算机及软件等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 1 | |
硬件开发 （汽车电子） | 机电一体化等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 1 | ||
材料与装备产业中心 | 辐射探测器、组件及系统设计师 | 材料、微电子及半导体器件等相关专业 | 硕士研究生及以上学历 | 1 |
三、博士后科研工作站招聘博士后项目表
项目名称 | 研究目标 | 主要研究内容 | 技术指标 | 研究周期 |
深亚微米模拟集成电路辐照机理及加固技术研究 | 通过电路辐照机理、辐照试验分析，提出典型模拟电路的抗辐照加固设计方法和关键技术。 | 基于深亚微米CMOS工艺，开展模拟集成电路的辐照机理研究，进行电路的总剂量、单粒子辐照试验，通过试验数据分析和理论研究，提出模拟电路的抗辐照设计方法，形成关键技术。 | 基于65nmCMOS工艺，开展混合信号电路典型模拟单元电路的抗辐照技术研究，研究总剂量辐照下电路性能变化及加固方法，研究单粒子辐照下各种单粒子效应及加固方法；申请专利2项以上；国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章不少于2篇。 | 2016~2018 |
深亚微米低功耗高速流水线型A/D转换器设计技术 | 通过结构设计、单元电路设计创新，突破先进工艺条件下低功耗的流水线型高性能A/D转换器关键设计技术。 | 基于65~28nmCMOS工艺，开展低功耗流水线型A/D转换器研究，研究功率优化的途径、低功耗结构和模拟单元设计方法，设计转换器电路并流片验证，形成低功耗设计关键技术。 | 基于65~28nmCMOS工艺，研究带宽需求30GHz及以上的高性能放大器设计、增益补偿、PVT适应性及校正、建立补偿、功耗优化、流水线核心设计及校正等关键技术，申请国际/国内专利2~3项，国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章不少于2篇。 | 2016~2018 |
深亚微米超低功耗SAR型转换器研究 | 通过结构设计、单元电路设计创新，研制具有极低功耗的SAR结构高性能转换器。 | 基于65~28nmCMOS工艺，开展超低功耗SAR型A/D转换器研究，研究功率优化的途径、低功耗结构和单元设计方法，设计转换器电路并流片验证，形成低功耗设计关键技术。 | 基于65~28nmCMOS工艺，研究转换时间小于800ps的高速低功耗SAR核心电路设计技术，FoM小于50fJ/conv,申请国际/国内专利1~2项，国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章不少于1篇。 | 2016~2018 |
时间交织采样转换器后台均衡校正算法研究 | 大于16通道的密集通道时间交织采样ADC后台均衡算法研究。 | 研究密集通道时间交织采样ADC高效后台均衡可适应性鲁棒算法，通过算法研究、仿真验证、编码实现、测试验证，形成可应用的高效数字均衡关键技术。 | 均衡方法：后台在线校正/唤醒式校正，后台校正时间较短，校正后具有适应性和鲁棒性，校正后的谐波降低10dB以上，通道间失配引起的谐波小于器件本身奇次谐波，噪声损失小于1dB；申请国际/国内专利1~2项，国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章不少于1篇。 | 2016~2018 |
超高速转换器关键单元研究 | 研究射频采样超高速A/D的缓冲器、时钟等关键电路设计技术，实现15-30GHz带宽缓冲器、小于45fs抖动时钟接收、相位一致性小于0.2ps的多相时钟产生电路技术。 | 基于65~28nmCMOS工艺，突破超高速电路缓冲器、时钟接收、多相时钟产生、转换后Tbps级数字数据存储与缓冲技术研究，形成可实用化的设计技术。 | 基于65~28nmCMOS工艺，缓冲器带宽15-30GHz、时钟接收抖动小于45fs、相位一致性小于0.2ps、数据缓存量大于0.4Tbps。 | 2016~2018 |
射频与模拟前端集成化技术 | 研究射频前端与模拟基带集成技术、可配置射频集成技术。 | 基于CMOS或者SiGe BiCMOS技术，研究射频前端可配置可选择射频阵列技术，实现单片宽频域覆盖、软件可选择可配置，研究射频与模拟集成技术，型号曾可实用的设计技术。 | 基于CMOS或者SiGe BiCMOS技术，集成8路以上可射频模块，开关损耗小于0.2dB，频率覆盖K/Ka波段以下。 | 2016~2018 |
项目名称 | 研究目标 | 主要研究内容 | 技术指标 | 研究周期 |
IPM模块高效率驱动技术研究 | 掌握IPM模块低静态损耗的驱动技术。 | 研究驱动线路结构，对IPM模块的驱动线路结构进行深入研究，获得安全、高效的驱动控制方案。
| 集电极-发射极耐压：600V； 持续输出电流：150A； 功率级静态损耗：≤1W（PWM频率12.5kHz，占空比50%高低边调制、54V、空载）； 具备完善的过流保护功能； 申请专利1项以上或者国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章不少于1篇。 | 2016~2018 |
微波组件小型化高密度互联技术（层间互联） | 掌握微波小型化高密度互联关键技术。 | 微波模块多层互联基板技术研究；无源结构研究。 | LTCC基板层间垂直互联，频率范围： Ku波段，插入损耗≤1.5dB，驻波≤2； 国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章不少于1篇。 | 2016~2018 |
微波组件小型化高密度互联技术（板间互联） | 掌握微波小型化高密度互联关键技术。 | 微波模块高密度板级三维垂直微波互联技术研究。 | LTCC基板板间垂直互联（板间距≤1mm），频率范围： Ku波段，插入损耗≤3dB，驻波≤2.2； 国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章不少于1篇。 | 2016~2018 |
快捷变间接式频率综合成技术研究 | 研究间接式频率合成技术的锁定机理，获得减小频率锁定时间的关键技术。 | 间接式频率合成技术频率锁定机理分析；快捷变间接式频率合成技术方法研究。 | 频率范围：2~18GHz； 频率建立时间（2/18GHz跳变）：≤1μs； 国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章不少于1篇。 | 2016~2018 |
嵌入式存储器内建自测试和自修复技术应用研究 | 掌握SoC设计中嵌入式存储器的内建自测试和自修复设计实现与应用测试实现技术。 | SRAM单元/阵列的失效故障模型建立，内建自测试向量产生算法设计，内建冗余分析和自修复策略方案设计，存储器内建自测试和自修复电路设计实现与仿真验证，带冗余存储单元的存储器设计，存储器内建自测试和自修复电路在SoC中的集成设计实现，验证设计流片与应用测试分析。 | 基于90nm以下深亚微米工艺开展嵌入式存储器（SRAM/Flash等）的内建自测试和自修复电路设计实现，在超过50万门规模的电路中实现集成设计，流片后并实现应用测试验证；申请国内/国际专利1项，国内一级刊物或国际期刊或会议发表文章1篇以上。 | 2016~2018 |
三相PFC技术 | 掌握三相PFC高效功率因数校正拓扑结构及核心控制算法。 | 开展三相PFC高效拓扑结构设计技术研究；开展核心控制算法研究。 | 频率45Hz~800Hz；输出功率1500W；THD≤2%；功率因素≥0.98； 申请专利2项、发表一级期刊论文2篇以上。 | 2016~2018 |
四、联系方式
联系人：吕键、杨立功
联系电话：023-65757131；65860116
投递E-mail: hr@
公司网址：ww***.cn[点击查看]
简历投递格式：姓名 学校 专业 应聘岗位
五、诚邀加盟
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