职位详情

工作地点

北京市朝阳区

招聘人数

10 人

职位要求

RF Power LDMOS & GaN Hemt设计工程师（北京）

？岗位职责：

1.半导体器件结构设计、模拟仿真和版图设计；

2.半导体器件工艺流程设计、模拟仿真；

3.半导体器件测试、分析；

4.微波封装建模、仿真，射频功放管内匹配设计。

？任职要求（部分匹配即可）：

1.硕士及以上学历，GaN、Si LDMOS等射频功率器件相关经历；

2.熟悉半导体器件物理，熟悉微波工程相关知识；

3.熟悉半导体制造工艺及其工艺流程的整合；

4.掌握半导体器件模拟软件，如Sentaurus,Silvaco等TCAD工具；

5.熟悉射频功率放大器内匹配设计，熟悉射频电路仿真软件，如HFSS、Momentum等；

6.掌握版图设计软件；

7.优秀的交流能力、团队合作精神和技术文档撰写能力；

8.英语六级，良好的英文阅读及书写能力。

简历请发：ying.li@

 

矽力杰股份有限公司（股票代码：TWSE6415）成立于2008年2月，总部位于杭州，目前设有包括南京、西安、上海、厦门、北京、成都、中国台湾、印度等研发中心，销售中心遍布全球，包括美国、英国、日本、韩国、大陆地区广泛分布于华南、华东、华北各地。

矽力杰一直致力于高功率密度高效率电源芯片的研发，产品广泛应用于消费电子、通讯电子类设备、计算机等领域。目前公司采用业内主流的FABLESS营运方式，通过自主设计、委托生产的方式进行产品生产，通过自有销售渠道或者代理商销售的方式进行市场推广，并为客户提供相关产品应用和设计技术服务。

公司重视专利创新，涵盖生产工艺、功率器件、电源拓补、电子电力设计、低功耗控制等各方面，目前已申请中国大陆、中国台湾、美国、韩国发明专利1084项，其中已获得授权国内外发明专利近732项。

公司创立者和主要技术人员长期从事半导体及电力电子行业，具有优秀的行业背景和丰富的工作经验，管理团队行业经验超过200年。从2008年2月成立至今，公司已发展到员工640余人，其中博士和硕士占比52%。